Transistörler - FET, MOSFET - RF
IGN1011L1200
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
- Üretici
- Integra Technologies
- Paket/Kılıf
- PL84A1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- IGN1011L1200
IGN1011L1200 Hakkında
IGN1011L1200, Integra Technologies tarafından üretilen L-Band RF güç transistörüdür. GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayanan bu HEMT transistör, 1.03-1.09 GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 1250W çıkış gücü ve 16.8dB kazanç ile RF yükseltme ve güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 180V derecelendirilmiş gerilim ile yüksek verimli haberleşme sistemleri, radar sistemleri ve endüstriyel RF uygulamalarında yer bulur. PL84A1 paket tipi ile montaja uygun yapıdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 160 mA |
| Frequency | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Gain | 16.8dB |
| Package / Case | PL84A1 |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 1250W |
| Supplier Device Package | PL84A1 |
| Transistor Type | HEMT |
| Voltage - Rated | 180 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok