Transistörler - IGBT - Tekil
IGD15N65T6ARMA1
IGD15N65T6ARMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGD15N65T6
IGD15N65T6ARMA1 Hakkında
IGD15N65T6ARMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 30A maksimum collector akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Surface Mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 100W maksimum güç dağıtımına sahiptir. -40°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığına uygun, şalter uygulamaları, inverter devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC konvertörlerde kullanım için tasarlanmıştır. 37nC gate charge ve düşük switching energy değerleri ile hızlı komütasyon performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 57.5 A |
| Gate Charge | 37 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 100 W |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 230µJ (on), 110µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/117ns |
| Test Condition | 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 11.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok