Transistörler - IGBT - Tekil
IGD06N65T6ARMA1
HOME APPLIANCES 14 PG-TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGD06N65T6AR
IGD06N65T6ARMA1 Hakkında
IGD06N65T6ARMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 650V kollektör-emitör breakdown voltajı ve 9A maksimum kollektör akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey monte paketinde sunulur. 31W maksimum güç disipasyonuna sahip olan bu transistör, 13.7nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Evsel elektrikli aletler, SMPS ve düşük güç uygulamalarında kullanılır. Standard input türü ile kontrol edilir ve 15ns/35ns anahtarlama gecikme sürelerine sahiptir. 400V/3A test koşullarında 1.9V Vce(on) değeri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 13.7 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 31 W |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 60µJ (on), 30µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/35ns |
| Test Condition | 400V, 3A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok