Transistörler - IGBT - Tekil
IGD01N120H2BUMA1
IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGD01N120H2B
IGD01N120H2BUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IGD01N120H2BUMA1, 1200V breakdown voltajına ve 3.2A maksimum collector akımına sahip bir IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 28W güç kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 8.6nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Vce(on) karakteristiği 15V gate voltajında 1A akımda 2.8V'dur. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu transistör, şu andaki stok durumu "Last Time Buy" olarak belirtilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve güç dönüştürme devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3.2 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 3.5 A |
| Gate Charge | 8.6 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 28 W |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Switching Energy | 140µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/370ns |
| Test Condition | 800V, 1A, 241Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok