Transistörler - IGBT - Tekil

IGC99T120T8RQX1SA1

IGBT CHIP

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
IGC99T120T8RQX1SA1

IGC99T120T8RQX1SA1 Hakkında

IGC99T120T8RQX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. Maximum 100A sürekli akım ve 300A pulsed akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.42V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Die (chip) paket formatında sunulan bu komponent, güç dönüştürme, motor kontrol, kaynak makinaları, endüstriyel invertörler ve UPS sistemleri gibi ağır endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -40°C ile 175°C arasında stabil çalışan bu bileşen, Standard giriş tipi ile kontrol devreleri ile uyumlu şekilde tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 300 A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.42V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok