Transistörler - IGBT - Tekil
IGC54T65R3QEX1SA1
IGBT CHIP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGC54T65R3QEX1SA1
IGC54T65R3QEX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IGC54T65R3QEX1SA1, yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çiptir. Trench Field Stop teknolojisini kullanan bu transistör, 650V kolektör-emiter gerilimi ile endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, enerji dönüştürme sistemleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 100A nominal akım ve 300A darbe akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarına dayanıklıdır. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, Die paketinde sunulur ve Surface Mount montaj tipiyle entegrasyonu kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.22V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok