Transistörler - IGBT - Tekil

IGC50T120T8RQX1SA1

IGBT 1200V 50A DIE

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
IGC50T120T8RQX1SA1

IGC50T120T8RQX1SA1 Hakkında

IGC50T120T8RQX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/50A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Surface Mount Die paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması görevini üstlenir. 150A pulse akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, inverter, motor kontrol ve renewable energy sistemlerinde kullanım için tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 2.42V @ 15V, 50A olup, 1200V Collector-Emitter dönüş gerilimi ile güvenli operasyon sağlar. Standard input tipli kontrol girişi ile kolay entegrasyon imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case Die
Part Status Active
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.42V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok