Transistörler - IGBT - Tekil
IGC50T120T8RLX7SA2
IGBT 1200V 50A DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- —
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGC50T120T8RLX7SA2
IGC50T120T8RLX7SA2 Hakkında
IGC50T120T8RLX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 50A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisine dayalı bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevi gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. Maksimum 1200V kolektör-emiter bozulma voltajı ile çalışan transistör, 50A nominal akım ve 150A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.07V on-state voltajı ile verimliliği artırırken, standart giriş tiplemesi ile kontrol devrelerinin basit tutulmasını sağlar. Endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları, UPS sistemleri ve solar inverterler gibi yüksek güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Aktif üretim durumunda olan bu bileşen, DIE format şeklinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Part Status | Active |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.07V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok