Transistörler - IGBT - Tekil
IGC36T120T8LX1SA1
IGBT 1200V 35A DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGC36T120T8LX1SA1
IGC36T120T8LX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IGC36T120T8LX1SA1, 1200V Trench Field Stop teknolojisine sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) die bileşenidir. 35A nominal kolektör akımı ile tasarlanan bu transistör, 105A pulslu kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Die form faktörü ile sunulan bileşen, yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalarda doğrudan entegre edilebilir. 2.07V (15V gate, 35A kolektör akımında) Vce(on) değeri ile verimli iletim karakteristiği sağlar. -40°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanıma uygundur. Standard giriş tipi yapısı, kontrol devreleri ile kolay entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.07V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok