Transistörler - IGBT - Tekil
IGC27T120T8QX1SA1
IGBT 1200V 25A DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGC27T120T8
IGC27T120T8QX1SA1 Hakkında
IGC27T120T8QX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 25A IGBT transistörtür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış bu die formundaki bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.42V maksimum Vce(on) değeri ile düşük kayıp karakteristiği sunar. 75A pulse collector akımı ve -40°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, güç dönüştürme devreleri, inverterler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount die paketinde sunulan bu komponent, yüksek entegrasyon gerektiren kompakt tasarımlar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.42V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok