Transistörler - IGBT - Tekil
IGC15T65QEX1SA1
IGBT CHIP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGC15T65QEX1SA1
IGC15T65QEX1SA1 Hakkında
IGC15T65QEX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen tek chip IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılan bu bileşen, 650V maksimum collector-emitter kapanma gerilimi ve 30A sürekli collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 90A pulsed akım kapasitesi bulunmaktadır. Die formunda sunulan komponent, -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. 2.32V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Motor sürücüleri, enerji dönüştürme sistemleri, endüstriyel uygulamalar ve yüksek frekanslı anahtarlama devreleri gibi alanlarda yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.32V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok