Transistörler - IGBT - Tekil

IGC13T120T8LX1SA1

IGBT 1200V 10A SAWN ON FOIL

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
IGC13T120T8LX1SA1

IGC13T120T8LX1SA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IGC13T120T8LX1SA1, 1200V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 10A nominal akım kapasitesi ile tasarlanmış bu bileşen, maksimum 30A pulse akım desteği sunar. Surface mount die paketinde sunulan komponentin maksimum Vce(on) değeri 15V kontrol geriliminde 8A akımda 2.07V'tur. -40°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. Standard giriş tipi kontrolü ile ekonomik güç dönüştürme çözümleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector Pulsed (Icm) 30 A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.07V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok