Transistörler - IGBT - Tekil
IGC11T120T8LX1SA1
IGBT 1200V 8A SAWN ON FOIL
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGC11T120T8
IGC11T120T8LX1SA1 Hakkında
IGC11T120T8LX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip 1200V IGBT transistördür. Surface mount die paketinde sunulan bu komponent, 8A kollektör akımı ve maksimum 24A pulse akımı ile tasarlanmıştır. 15V gate geriliminde 8A akımda maksimum 2.07V Vce(on) değerine sahiptir. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücüler, inverterler ve motor kontrolü devrelerinde kullanılır. Standard giriş türü ve Die paket format ile endüstriyel ve ticari anahtarlama uygulamaları için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.07V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok