Transistörler - IGBT - Tekil
IGC10T65QEX1SA1
IGBT CHIP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGC10T65QEX1SA1
IGC10T65QEX1SA1 Hakkında
IGC10T65QEX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT'dir. Die format pakette sunulan bu tekil transistör, 650V Collector-Emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. 20A maksimum DC collector akımı ve 60A pulse akımı kapasitesi ile sahip olup, 2.32V Vce(on) değerine sahiptir. -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yer almaktadır. Surface mount die versiyonu, kompakt tasarım gerektiren uygulamalara uygun olup, Son Üretim (Last Time Buy) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Last Time Buy |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.32V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok