Transistörler - IGBT - Tekil
IGB50N65S5ATMA1
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGB50N65S5ATMA1
IGB50N65S5ATMA1 Hakkında
IGB50N65S5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/80A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 400V/50A test koşullarında 1.7V Vce(on) değeri ile verimli çalışır. On/off geçiş süreleri sırasıyla 20ns/139ns olup, anahtarlama enerjileri 1.23mJ (on) ve 740µJ (off)'tir. 270W maksimum güç yönetimi kapasitesi ve -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel uygulamalara uygun tasarlanmıştır. Şalter konvektörleri, inverterler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 120 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 270 W |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Switching Energy | 1.23mJ (on), 740µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/139ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok