Transistörler - IGBT - Tekil
IGB50N65H5ATMA1
IGB50N65 - INDUSTRY 14
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGB50N65
IGB50N65H5ATMA1 Hakkında
IGB50N65H5ATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 80A sürekli kollektör akımı ve 150A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Maksimum 270W güç dağıtabilir ve -40°C ile 175°C arasında çalışır. Düşük anahtarlama enerjisi (açılış: 1.59mJ, kapanış: 750µJ) ve hızlı geçiş zamanları (23ns açılış, 173ns kapanış) ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri ve inverter uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Part Status | Active |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 120 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power - Max | 270 W |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Switching Energy | 1.59mJ (on), 750µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/173ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok