Transistörler - IGBT - Tekil
IGB30N60H3ATMA1
IGBT 600V 60A 187W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGB30N60H3ATMA1
IGB30N60H3ATMA1 Hakkında
IGB30N60H3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/60A rated Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında yüksek hız ve düşük kayıp özelliği ile tasarlanmıştır. 187W maksimum güç dağıtma kapasitesi ve 120A pulse akımı ile güç elektronikleri devrelerinde kullanılır. Switching Energy değeri 1.17mJ olup, Td(on) 18ns ve Td(off) 207ns ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Vce(on) 2.4V (15V, 30A şartlarında) ile düşük iletim kaybı karakteristiği vardır. -40°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 165 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 187 W |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 1.17mJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/207ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok