Transistörler - IGBT - Tekil
IGB20N60H3ATMA1
IGBT TRENCH/FS 600V 40A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGB20N60H3ATMA1
IGB20N60H3ATMA1 Hakkında
IGB20N60H3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/40A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 170W maksimum güç dağıtımı ile AC/DC güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, enerji kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Vce(on) değeri 2.4V (15V, 20A'de) olup, 16ns açılış ve 194ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir işletim sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 120 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 170 W |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Switching Energy | 690µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/194ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok