Transistörler - IGBT - Tekil
IGB10N60TATMA1
IGBT 600V 20A 110W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGB10N60TATMA1
IGB10N60TATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IGB10N60TATMA1, NPT Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT transistörüdür. 600V maksimum kollektör-emiter breakdown voltajı ve 20A sürekli kollektör akımı ile şekillendirilen bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi içinde sunulan transistör, güç elektronikleri devrelerinde, inverter, konvertör ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. 110W maksimum güç derecelendirmesi, -40°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığında çalışabilir. 12ns açılış ve 215ns kapanış gecikmesi ile kontrol uygulamalarında hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 62 nC |
| IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 110 W |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 430µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/215ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok