Transistörler - IGBT - Tekil
IGB03N120H2ATMA1
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGB03N120H2ATMA1
IGB03N120H2ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IGB03N120H2ATMA1, 1200V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış tekil IGBT transistördür. Maksimum kolektör akımı 9.6A, en yüksek disipasyon gücü 62.5W olan bu bileşen, TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 22nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahip olup (Td on/off: 9.2ns/281ns), -40°C ile +150°C arasında çalışmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 3A akımda 2.8V'tur. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, inverter devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılan bu IGBT, 290µJ anahtarlama enerjisi ile verimli çalışma sağlar. Son satın alma (Last Time Buy) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9.6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.9 A |
| Gate Charge | 22 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 62.5 W |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 290µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 9.2ns/281ns |
| Test Condition | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok