Transistörler - IGBT - Tekil
IGB01N120H2ATMA1
IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGB01N120H2
IGB01N120H2ATMA1 Hakkında
IGB01N120H2ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 3.2A kollektör akımı ve 28W güç yeteneğine sahiptir. Gate charge değeri 8.6nC ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir (Td on/off: 13ns/370ns @ 25°C). Vce(on) maksimum 2.8V @ 15V, 1A şartlarında ölçülmüştür. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri ve güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 140µJ switching energy ile düşük enerji kaybı sağlayan bir tasarıma sahiptir. Last Time Buy statüsü ile üretim sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3.2 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 3.5 A |
| Gate Charge | 8.6 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 28 W |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 140µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/370ns |
| Test Condition | 800V, 1A, 241Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok