Transistörler - IGBT - Tekil

IGA03N120H2XKSA1

IGBT 1200V 3A 29W TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IGA03N120H2

IGA03N120H2XKSA1 Hakkında

IGA03N120H2XKSA1, 1200V kolektör-emitör kırılma gerilimi ile tasarlanan 3A maksimum kolektör akımına sahip bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında yüksek gerilim ortamlarında çalışmaya uygundur. 29W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 8.6nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Vce(on) değeri 2.8V @ 15V, 3A koşullarında ölçülmüştür. İnverter, konvertör ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 9 A
Gate Charge 8.6 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Last Time Buy
Power - Max 29 W
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Switching Energy 290µJ
Td (on/off) @ 25°C 9.2ns/281ns
Test Condition 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok