IGBT Transistörler - Modüller

IFS150B12N3E4B31BOSA1

IGBT MOD 1200V 300A 750W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
IFS150B12N3E4B31BOSA1

IFS150B12N3E4B31BOSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IFS150B12N3E4B31BOSA1, Full Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış yüksek güç IGBT modülüdür. 1200V collector-emitter gerilimi ve 300A maksimum kolektör akımı ile 750W güç kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate-emitter geriliminde 150A akımda 2.15V olup, düşük iletim kaybı sağlar. NTC thermistor entegrasyonu ile sıcaklık monitorlama yapılabilir. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenli operasyon sunar. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel uygulamalarda sabit montaj için uygundur. Inverter, motor sürücü, kaynak cihazları ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 300 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 9.35 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 750 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok