IGBT Transistörler - Modüller
IFS100B12N3E4B31BOSA1
IGBT MOD 1200V 200A 515W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- IFS100B12N3E4B31BOSA1
IFS100B12N3E4B31BOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IFS100B12N3E4B31BOSA1, Full Bridge konfigürasyonunda 1200V/200A IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisini kullanan bu modül, maksimum 515W güç kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 100A akımda 2.1V'dur. Giriş kapasitesi (Cies) 25V'de 6.3nF olarak ölçülmüştür. NTC thermistor entegrasyonu sayesinde sıcaklık izlemesi yapılabilir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilecek şekilde tasarlanan modül, chassis mount tipinde yerleştirilir. Endüstriyel sürücüler, kaynak makineleri, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. Standart giriş sinyalleriyle uyumlu olarak aktif durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Full Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6.3 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 515 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok