Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDWD30G120C5XKSA1
SIC SCHOTTKY 1200V 30A TO247-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDWD30G120C5XKSA1
IDWD30G120C5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IDWD30G120C5XKSA1, Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 1200V reverse voltage ve 30A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-2 through hole paketinde sunulan bileşen, 1.65V forward voltage düşüşü ile düşük kayıp karakteristiğine sahiptir. 0ns reverse recovery time özelliği ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında, endüstriyel konvertörler, invertörler ve yüksek frekanslı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. 248µA @ 1200V reverse leakage akımı ile sıcak ortamlarda güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1980pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 87A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 248 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 30 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok