Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDWD20G120C5XKSA1
SIC SCHOTTKY 1200V 20A TO247-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDWD20G120C5XKSA1
IDWD20G120C5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IDWD20G120C5XKSA1, Silicon Carbide (SiC) Schottky teknolojisine dayalı bir güç diyotudur. 1200V ters gerilim kapasitesine ve 20A ortalama doğrultu akımına sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında hızlı anahtarlama ve düşük ters kurtarma süresi ile karakterizedir. TO-247-2 paketinde sunulan komponentin 1.65V ön gerilimi ve 166µA ters sızıntı akımı ile 62A DC akım kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile 175°C aralığında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, inverterler, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1368pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 62A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 166 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 20 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok