Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

IDWD15G120C5XKSA1

SIC SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2

Paket/Kılıf
TO-247-2
Seri / Aile Numarası
IDWD15G120C5XKSA1

IDWD15G120C5XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IDWD15G120C5XKSA1, Silicon Carbide (SiC) Schottky diyot teknolojisine dayanan bir doğrultma diyotudur. 1200V ters gerilim yeteneği ve 15A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.65V forward voltage ile düşük enerji kaybı sağlar. 0 ns reverse recovery time karakteristiği ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Yüksek sıcaklık ortamlarına uygun olup -55°C ile 175°C arasında çalışır. TO-247-2 paketi ile through-hole montajı destekler. PFC (Power Factor Correction), güç kaynakları, inverter ve welding uygulamaları gibi alanların ideal bir seçimidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 1050pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 49A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 124 µA @ 1200 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-247-2
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package PG-TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.65 V @ 15 A

Kaynaklar

Datasheet

IDWD15G120C5XKSA1 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok