Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDWD10G120C5XKSA1
SIC SCHOTTKY 1200V 10A TO247-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDWD10G120C5
IDWD10G120C5XKSA1 Hakkında
IDWD10G120C5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 1200V ters voltaj dayanımı ve 10A nominal akım kapasitesi ile güç uygulamalarında doğrultma görevini gerçekleştirir. TO-247-2 paketinde sunulan bu komponent, yüksek sıcaklık ortamlarında (175°C'ye kadar) çalışabilir ve düşük ters kazanç akımı (80 µA @ 1200V) ile verimli enerji dönüşümü sağlar. Hızlı anahtarlama özelliği (sıfır recovery time) ve düşük forward voltajı (1.65V @ 10A) sayesinde güneş enerjisi sistemleri, endüstriyel güç kaynakları, EV şarj altyapısı ve UPS gibi uygulamalarda tercih edilir. Yapısında recovery time bulunmaması, modern switching topologylerinde yüksek frekans ve verimliliği destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 730pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 34A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 80 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok