Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDW40G65C5XKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDW40G65C5XKSA1
IDW40G65C5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IDW40G65C5XKSA1, Silicon Carbide (SiC) Schottky diyot olup 650V ters gerilim ve 40A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketlemesi ile gelen bu bileşen, yüksek gerilim uygulamaları için hızlı anahtarlama ve düşük ters kurtarma süresi (0 ns) sunmaktadır. 1.7V tipik ileri gerilim düşümü ve 220µA maksimum ters sızıntı akımı özellikleri ile enerji dönüştürme sistemleri, güç kaynakları, inverterler ve endüstriyel uygulamalarda kullanıma uygundur. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1140pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 40A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 220 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 40 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok