Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDW40G65C5XKSA1
SIC DIODES
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDW40G65C5XKSA1
IDW40G65C5XKSA1 Hakkında
IDW40G65C5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Silicon Carbide Schottky diyottur. 40A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahip bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında verimli enerji dönüşümü sağlar. Sıfır reverse recovery time (trr: 0 ns) özelliği ile düşük elektromanyetik parazit üretir. TO-247-3 paket tipi, güç uygulamalarında kolaylıkla monte edilmesine olanak tanır. -55°C ile 175°C arasında stabil çalışan cihaz, anahtarlama güç kaynakları, inverter devreleri, fotovoltaik sistemler ve motorlu uygulamalarda kullanılır. 1.7V @ 40A forward voltaj karakteristiği ile kayıp ısısı minimize edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1140pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 40A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 220 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 40 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok