Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDW40G65C5FKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDW40G65C5FKSA1
IDW40G65C5FKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IDW40G65C5FKSA1, 650V darbeye dayanıklı Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 40A DC ortalama doğrultulmuş akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu diyot, 1.7V @ 40A ön gerilim düşüşü ve 0ns ters iyileşme süresi (reverse recovery time) özellikleriyle senkron doğrultama devrelerinde, inverter tasarımlarında ve yüksek frekans güç dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ürün, düşük kapasite değeri (1140pF @ 1V) sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1140pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 40A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1.4 mA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 40 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok