Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
IDW40G120C5BFKSA1
DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- IDW40G120C5
IDW40G120C5BFKSA1 Hakkında
IDW40G120C5BFKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 55A kapasiteli Silicon Carbide Schottky doğrultma diyodudur. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1 çift ortak katot konfigürasyonunda tasarlanmıştır. Nominal 1.65V ileri voltaj düşüşü (20A'de) ve 166µA ters sızıntı akımı (1200V'de) özellikleriyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Fast Recovery karakteristiği (≤500ns) sayesinde yüksek frekans anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, inverter uygulamaları ve endüstriyel konvertörlerde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, through-hole montaj türüyle standart PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 55A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 166 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 20 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok