Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

IDW32G65C5BXKSA1

DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IDW32G65C5BXKSA1

IDW32G65C5BXKSA1 Hakkında

IDW32G65C5BXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyot çifti common cathode konfigürasyonunda sunulan bir doğrultma diyotudur. 650V ters gerilim derecelendirmesi ve 16A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sağlanan bileşen, 1.7V maksimum ileri gerilim düşüşü (16A'de) ile düşük kayıp özellikleri sunar. Fast recovery karakteristiği (≤500ns) ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun olan bu diyot, endüstriyel güç kaynakları, UPS sistemleri, motor sürücüleri ve yenilenebilir enerji sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 200µA ters sızıntı akımı (650V'de) ile düşük kalan elektrik tüketimi sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 16A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 200 µA @ 650 V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-247-3
Part Status Market
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package PG-TO247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 16 A

Kaynaklar

Datasheet

IDW32G65C5BXKSA1 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok