Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDW30G65C5FKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDW30G65C5FKSA1
IDW30G65C5FKSA1 Hakkında
IDW30G65C5FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim ve 30A ortalama doğrultulu akım kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekans güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve enerji dönüştürücülerinde kullanılır. 1.7V ön gerilim düşümü ve 0ns ters kurtarma süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, endüstriyel ve ticari güç elektronik sistemlerinde tercih edilen bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 860pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 30A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1.1 mA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 30 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok