Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
IDW30G120C5BFKSA1
DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- IDW30G120C5
IDW30G120C5BFKSA1 Hakkında
IDW30G120C5BFKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 44A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-247-3 kasa tipi ile Through Hole montaj özelliğine sahiptir. Maksimum reverse voltajı 1200V, forward voltajı 1.65V @ 15A'dir. Fast recovery karakteristiği (≤500ns) ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılabilir. 1 Pair Common Cathode konfigürasyonuyla dizi yapısında tasarlanmıştır. -55°C ~ 175°C aralığında çalışabilir. Endüstriyel güç elektronikleri, konvertörler ve doğrultucu uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 44A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 124 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 15 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok