Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDW20G65C5BXKSA2
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDW20G65C5
IDW20G65C5BXKSA2 Hakkında
IDW20G65C5BXKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V 10A kapasitesinde Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-247-3 paket tipinde tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 1.7V maksimum forward voltajı ve 0ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda kullanılır. 300pF kapasitansı ve 180µA reverse leakage current özellikleriyle düşük kayıp ve verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 180 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok