Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
IDW20G65C5BXKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- IDW20G65C5
IDW20G65C5BXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IDW20G65C5BXKSA1, Silicon Carbide Schottky diyot teknolojisine dayanan bir güç doğrultma bileşenidir. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 1 Pair Common Cathode konfigürasyonunda 2 diyot içermektedir. 650V DC ters gerilim yeteneği ve 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Düşük forward voltage (1.7V @ 10A) ve 500ns altında recovery time özellikleri ile enerji dönüşüm sistemlerinde, güç kaynakları, invertör devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli işletim sağlar. Through-hole montajı standardize üretim prosesleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 180 µA @ 650 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Market |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok