Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDW10G65C5XKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDW10G65C5XKSA1
IDW10G65C5XKSA1 Hakkında
IDW10G65C5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/10A Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında doğrultma ve koruma işlevleri gerçekleştirir. 1.7V maksimum ileri gerilim düşüşü ile düşük enerji kaybı sağlar. Sıfır reverse recovery time özelliği ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. PFC devreleri, şarj cihazları, inverter uygulamaları ve yüksek frekanslı güç dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 180 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok