Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDW10G65C5FKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDW10G65C5FKSA1
IDW10G65C5FKSA1 Hakkında
IDW10G65C5FKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V 10A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. TO-247-3 paketinde sunulan bu diyot, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma görevini yerine getirir. 1.7V forward voltage ile düşük voltaj düşüşü sağlar ve 0ns reverse recovery time özelliği sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerinde kullanılabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Güç kaynakları, invertörler, solar panel sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Montajı through-hole tipidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 400 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok