Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDV08E65D2XKSA1
DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDV08E65D2XKSA1
IDV08E65D2XKSA1 Hakkında
IDV08E65D2XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V 8A kapasiteli general purpose (genel amaçlı) doğrultucu diyottur. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, fast recovery özelliğine sahip olup 40 ns reverse recovery time ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2.3V forward voltage düşüşü ve 40µA reverse leakage akımı ile verimli çalışma sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Endüstriyel güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve AC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.3 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok