Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDV04S60CXKSA1
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDV04S60CXKSA1
IDV04S60CXKSA1 Hakkında
IDV04S60CXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 600V ters gerilim dayanımı ve 4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Through-hole montajlı TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, düşük ileriye doğru voltaj düşüşü (1.9V @ 4A) ve sıfır reverse recovery time (trr) özelliği ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Ürün şu anda üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2 Full Pack |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 4 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok