Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDP08E65D1XKSA1
DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDP08E65D1XKSA1
IDP08E65D1XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IDP08E65D1XKSA1, 650V ters voltaj kapasitesi ve 8A ortalama doğrultulan akım ile çalışan genel amaçlı bir diyottur. Fast recovery tipinde tasarlanmış olup 80 ns reverse recovery time değerine sahiptir. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, 1.7V forward voltage değeri ile iletim sırasında düşük ısı kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında junction sıcaklık aralığında güvenli çalışır. Güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, endüstriyel uygulamalar ve yüksek voltaj doğrultama devrelerinde kullanılan standart diyottur. Through-hole montaj yöntemiyle PCB'lere kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok