Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDM10G120C5XTMA1
DIODE SCHTKY 1200V 38A PGTO252-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDM10G120C5XTMA1
IDM10G120C5XTMA1 Hakkında
IDM10G120C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/38A Silicon Carbide Schottky diyotudur. TO-252-3 DPak paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma ve koruma görevlerini yerine getirir. 1.8V ileri gerilim düşümü ve 0ns ters kurtarma süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. 62µA ters sızıntı akımı ve geniş sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel, otomotiv ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Surface mount montaj tipi ile kompakt devre tasarımlarına uygun bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 29pF @ 800V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 38A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 62 µA @ 12 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok