Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDM08G120C5XTMA1
DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO252-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDM08G120C5XTMA1
IDM08G120C5XTMA1 Hakkında
IDM08G120C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 1200V ters voltaj kapasitesine sahip bu diyot, 8A ortalama doğrultulmuş akım değerinde çalışır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan komponent, 1.95V maksimum ileri voltaj düşüşü ile karakterize edilmiştir. Sıfır reverse recovery time özelliğine sahip bu diyot, yüksek frekanslı uygulamalarda anahtarlama kayıplarını minimalize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen IDM08G120C5XTMA1, güç dönüştürme, invertör devreleri, UPS sistemleri ve yüksek voltajlı doğrultma uygulamalarında kullanılır. 365pF kapasitans değeri ve 40µA ters sızıntı akımı teknik performansını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 365pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.95 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok