Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDM05G120C5XTMA1
DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO252-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDM05G120C5
IDM05G120C5XTMA1 Hakkında
IDM05G120C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/5A Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu diyot, yüksek voltaj uygulamalarında hızlı doğrultma işlevi görmektedir. 1.8V forward voltage ve 33µA reverse leakage current özellikleriyle, güç kaynakları, inverter devreleri ve switch-mode power supply (SMPS) tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 175°C aralığında çalışabilen ve 0ns reverse recovery time'a sahip bu bileşen, SiC teknolojisi sayesinde düşük ısı kayıpları ve yüksek verim sağlar. Endüstriyel ve telekomünikasyon uygulamalarında tercih edilen bir doğrultma diyotudur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 301pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 33 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok