Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDM02G120C5XTMA1
DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO252-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDM02G120C5
IDM02G120C5XTMA1 Hakkında
IDM02G120C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 2A kapasitesindeki Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-252-3 (DPak) SMD paket ile sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 1.65V maksimum ileri gerilim düşüşü (Vf) ve 0 ns ters kazanım süresi (trr) ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 182pF kapasitans değeri (1V, 1MHz) düşük olup, 18µA ters sızıntı akımı (1200V) ile verimli çalışır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Güç kaynakları, invertörler, PFC devreleri ve endüstriyel anahtarlamalı uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 182pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 18 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok