Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDL12G65C5XUMA1
DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDL12G65C5
IDL12G65C5XUMA1 Hakkında
IDL12G65C5XUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters gerilim ve 12A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Sıfır reverse recovery time (trr) özelliği ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.7V @ 12A forward voltage değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. Surface mount VSON-4 paketinde sunulur ve -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç elektroniği devreleri, şarj cihazları, invertörler ve AC/DC dönüştürücülerde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 360pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 190 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 12 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok