Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

IDL10G65C5XUMA1

DIODE SCHOTTKY 650V 10A VSON-4

Paket/Kılıf
4-PowerTSFN
Seri / Aile Numarası
IDL10G65C5XUMA1

IDL10G65C5XUMA1 Hakkında

IDL10G65C5XUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim ve 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 1.7V @ 10A ileri gerilim düşüşü ile düşük kayıp işletme sunar. Reverse recovery time'ı 0ns olup 500mA üzerinde kurtarma süresi yoktur. VSON-4 surface mount paketinde sunulmuştur. -55°C ~ 150°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde, inverter ve PFC sistemlerinde kullanılmaya uygundur. 300pF @ 1V, 1MHz kapasitansi ve 180µA @ 650V ters kaçak akımı özellikleri taşır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 10A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 180 µA @ 650 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case 4-PowerTSFN
Part Status Market
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package PG-VSON-4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A

Kaynaklar

Datasheet

IDL10G65C5XUMA1 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok