Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDL04G65C5XUMA1
DIODE SCHOTTKY 650V 4A VSON-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDL04G65C5XUMA1
IDL04G65C5XUMA1 Hakkında
IDL04G65C5XUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters gerilim ve 4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. Bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır ve sıfır ters iyileştirme süresi (trr: 0 ns) ile karakterize edilir. 1.7V maksimum ileri gerilimi (4A'de) düşük ön düşüş kaybı sağlar. Surface Mount VSON-4 paketinde sunulan bu diyot, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve otoomotiv uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 70 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok