Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK20G120C5XTMA1
SIC DISCRETE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK20G120C5X
IDK20G120C5XTMA1 Hakkında
IDK20G120C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 1200V ters voltaj kapasitesine sahip bu bileşen, 56A ortalama doğrultulmuş akım değerine ve 1.8V ileri voltajda çalışabilir. Surface Mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışmaya uyarlanmıştır. Silikal karbür tabanlı yapısı sayesinde enerji dönüştürme uygulamalarında, güç kaynakları, şarj cihazları ve endüstriyel invertörlerde kullanılır. 123µA ters akım özelliği ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile güç elektronikleri tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1050pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 56A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 123 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 20 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok